【相變記憶變得更輕便】
本帖最後由 江南布衣 於 2012-6-17 13:14 編輯 <br /><br /><P align=center><STRONG><FONT size=5>【<FONT color=red>相變記憶變得更輕便</FONT>】</FONT></STRONG></P><P> </P>
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<P align=center><STRONG>打開和關閉是：pcm細胞碳納米管</STRONG></P><STRONG>
<P><BR>相變材料已經用於存儲數據的可擦寫光盤，但其相對較高的功率要求使他們不切實際的使用在移動電話和其他便攜式設備。 </P>
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<P>現在，研究人員在美國已經找到了一種方法，以減少體積相變材料在內存位，切斷電源要求100倍，用最好的設備相比，目前市場上。</P>
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<P><STRONG>相變材料中的活性物質可擦寫 DVD和通常由鍺銻碲硫族化合物如 - 消費稅的簡稱。 </STRONG></P>
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<P><STRONG>使用電壓脈衝來產生熱量，這些材料是一種無定形狀態之間切換（“關”）和結晶狀態（“上”）。 </STRONG></P>
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<P><STRONG>無定形狀態具有非常高的電阻和結晶狀態非常低的電阻。</STRONG></P>
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<P><STRONG>速度比閃存</STRONG></P>
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<P><STRONG>這些國家承受，當電源關閉，因此是理想的材料製造非易失性內存類似於閃存或硬盤驅動器。 </STRONG></P>
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<P><STRONG>更重要的是，可以切換的階段，在短短的納秒的事，遠遠快於閃存。 </STRONG></P>
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<P><STRONG>然而，最大的困難是相對較高的功率水平通常需要切換非晶和晶體之間的海灣國家在存儲位。</STRONG></P>
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<P><STRONG>為了解決這個問題，埃里克和他的同事在流行伊利諾伊大學厄巴納香檳用碳納米管“房子”納米級存儲器位商品及服務稅。 </STRONG></P>
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<P><STRONG>他們開始建立的納米管內微小差距使用方法稱為電擊穿。 </STRONG></P>
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<P><STRONG>這個簡單的技術產生的差距，不同的大小從 20到300納米 - 通常是在中間的納米管。 </STRONG></P>
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<P><STRONG>接下來，研究人員用充滿 nanogap少量商品及服務稅。</STRONG></P>
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<P><STRONG>最初的設備處於關閉狀態，因為作為沉積非晶位商品及服務稅，以高約 50MΩ的電阻。 </STRONG></P>
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<P><STRONG>當電壓適用於整個碳納米管（這實際上充當聯繫人或互連），創建一個電場穿過 nanogap和交換機的商品及服務稅位的晶相。 </STRONG></P>
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<P><STRONG>該電阻的晶相低100倍左右，在大約 0.5兆歐。</STRONG></P>
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<P><STRONG>'極低功耗，其開關只發生在少量的材料包含在nanogap。 “這意味著極低的功耗相比，國家的最先進的設備，使用更大的金屬導線接觸的相變材料，解釋說：”流行。</STRONG></P>
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<P><STRONG>結果是非常重要的，研究人員說，因為相變材料是最有前途的技術取代閃存在筆記本電腦，手機及許多其它便攜式應用。 </STRONG></P>
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<P><STRONG>“100倍功率的減少可能去很遠，延長電池壽命和可攜性，並可能最終也導致許多新的應用，說：”球隊。</STRONG></P>
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<P><STRONG>雖然伊利諾斯州的研究人員已經減少功耗降低兩個數量級，有可能，它可能還沒有達到基本的下限為這種技術。 </STRONG></P>
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<P><STRONG>“現在我們將尋求進一步減少編程能力（我們認為10的另一個因素是可能的），並改善長期可靠性的存儲位，”爸爸告訴 physicsworld.com 。</STRONG></P>
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<P><STRONG>這項工作是描述 Sciencexpress 分類號：10.1126/science.1201938 。</STRONG></P>
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<P><STRONG>關於作者</STRONG></P>
<P><STRONG><BR>美女杜梅是特約編輯 nanotechweb.org</STRONG></P>
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<P><STRONG>引用：</STRONG><A href="http://physicsworld.com/cws/article/news/45376"><STRONG>http://physicsworld.com/cws/article/news/45376</STRONG></A></P>
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